IBM与AMD创造22纳米制程SRAM单元
2008年08月20日 16:16 • 查看 10 次 • 打印本文IBM、AMD、飞思卡尔、东芝、意法半导体及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）等机构共同宣布制造出世界上首个22纳米制程SRAM单元样品(科学网)，22纳米制造工艺将是继32纳米之后的下一代芯片技术，但在数年内还不会用于正式生产。 IBM称SRAM单元开发中使用了多种新的制造流程工艺，包括高NA浸没式光刻（high-NA immersion lithography）技术，边带高K金属栅极、25纳米栅极长度晶体管、超薄隔离结构（spacer）、共同掺杂、先进激活技术、极薄硅化物膜以及嵌入式铜触点等。
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